柵極驅動器專為更高的開關速度和系統尺寸限制而設計，可滿足 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等功率開關技術的要求，同時仍可為 IGBT（絕緣柵極雙極晶體管）和 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）配置的開關特性提供可靠控制。這些隔離柵極驅動器充分利用了 ADI 公司的 iCoupler 隔離技術，并結合高速 CMOS 和單片變壓器技術，可在不犧牲共模瞬變抗擾度（CMTI）性能的情況下，實現超低傳播延遲。高脈沖保真度架構使電機功率效率能夠滿足新的所需效率水平，并且卓越的時序性能穩定性可降低電壓失真，以及太陽能逆變器的諧波和輸出功率。