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全環(huán)繞柵極晶體管
全環(huán)繞柵極晶體管
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本揭示案描述了形成環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法,用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的技術(shù),此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有被配置為通道部分的多個(gè)半導(dǎo)體條.在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,擴(kuò)散中斷結(jié)構(gòu)在柵極結(jié)構(gòu)形成之后形成,使得鄰近擴(kuò)散中斷結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體條的結(jié)構(gòu)完整性不會(huì)被隨后的柵極形成制程損害.擴(kuò)散中斷從上表面向下延伸,直到相鄰?fù)ǖ啦糠值乃邪雽?dǎo)體條被擴(kuò)散中斷截?cái)?/p>

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2021-10-09
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