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氮化鎵射頻器件
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基于南京電子器件研究所0.5μm GaN HEMT工藝平臺(tái),設(shè)計(jì)了一款SiC襯底的1.2~1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器.以管芯S參數(shù)和負(fù)載牽引測(cè)試結(jié)果進(jìn)行匹配電路設(shè)計(jì),采用雙胞55 mm GaN管芯實(shí)現(xiàn)大功率輸出.功率放大器內(nèi)部采用預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì),外部匹配網(wǎng)絡(luò)采用多級(jí)高低阻抗微帶線結(jié)構(gòu).該功率放大器在1.2~1.4 GHz頻帶內(nèi),漏電壓60 V,脈沖寬度100μs,占空比10%測(cè)試條件下,輸出功率達(dá)到1.1 kW,功率增益大于15.5 dB,功率附加效率大于70%.

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備新勢(shì)力稷以科技完成數(shù)千萬融資，打造化合物特色設(shè)備龍頭
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　　國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備新勢(shì)力稷以科技完成數(shù)千萬融資，這一消息顯示了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的蓬勃發(fā)展和創(chuàng)新活力。以下是關(guān)于稷以科技此次融資及其發(fā)展的詳細(xì)分析：　　一、融資概況　　融資金額：稷以科技完成了數(shù)千萬元的融資，具體金額雖未詳細(xì)披露，但足以支持其進(jìn)一步的技術(shù)研發(fā)和市場(chǎng)拓展。　　投資方：本輪融資由業(yè)內(nèi)知名投資機(jī)構(gòu)參與，包括中芯聚源、元禾璞華以及......
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2021-08-19
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