本發明涉及一種探測器芯片,包括碲鎘汞薄膜和芯片結構,芯片結構包括pn結,讀出電路和銦柱,pn結形成于碲鎘汞薄膜的背面上,讀出電路位于碲鎘汞薄膜的背面側并且通過銦柱與pn結連接.另外還涉及探測器芯片的制備方法,包括:將碲鎘汞薄膜固定于載體上,其中,碲鎘汞薄膜的正面朝向載體;去除碲鎘汞薄膜背面的襯底;在碲鎘汞薄膜背面上形成pn結,該pn結通過銦柱連接讀出電路;去除載體.本發明提供的探測器芯片及其制備方法,通過在碲鎘汞薄膜背面成結,該pn結即形成于碲鎘汞薄膜的背面高組分材料區(也即外延界面處),可以防止芯片反型,降低探測器芯片的漏電流,增強芯片響應信號,從而顯著地提高探測器的工作性能.