久久久性爱视频,青娱乐这里只有精品狼牙,在线日韩av资源播放网站,掩去也俺来也久久丁香图

0 賣(mài)盤(pán)信息
BOM詢(xún)價(jià)
您現(xiàn)在的位置: 首頁(yè) > 電子資訊 >基礎(chǔ)知識(shí) > sc1s311引腳功能及電壓

sc1s311引腳功能及電壓

來(lái)源:
2025-06-30
類(lèi)別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 1
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

引言

在現(xiàn)代電子技術(shù)的浩瀚星空中,集成電路(Integrated Circuit, IC)無(wú)疑是最璀璨的星辰之一。它們以其微小的身軀,承載著復(fù)雜而強(qiáng)大的功能,構(gòu)成了從消費(fèi)電子、通訊設(shè)備到工業(yè)控制、航空航天等各個(gè)領(lǐng)域電子系統(tǒng)的心臟。在眾多專(zhuān)用集成電路中,電源管理IC扮演著至關(guān)重要的角色,它們是確保電子設(shè)備穩(wěn)定、高效、安全運(yùn)行的基石。SC1S311作為一款高性能的準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制器IC,憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和豐富的功能,在眾多電源解決方案中脫穎而出。它不僅僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的電子元件,更是電源設(shè)計(jì)工程師手中一把開(kāi)啟高效、低耗、穩(wěn)定電源設(shè)計(jì)之門(mén)的鑰匙。本文旨在深入、全面地剖析SC1S311的每一個(gè)引腳,不僅詳細(xì)闡述其基本功能和電氣參數(shù),更將拓展至其在電路中的具體作用、工作原理、設(shè)計(jì)考量以及與其他元件的協(xié)同關(guān)系,力求為讀者呈現(xiàn)一幅關(guān)于SC1S311的詳盡而生動(dòng)的技術(shù)全景圖。這不僅僅是一篇技術(shù)文檔的解讀,更是一次對(duì)現(xiàn)代電源管理技術(shù)深度探索的旅程。我們將從宏觀的系統(tǒng)視角,逐步深入到微觀的引腳層面,層層剝繭,探尋其內(nèi)部精妙的邏輯結(jié)構(gòu)和控制機(jī)制,希望通過(guò)長(zhǎng)達(dá)萬(wàn)字的篇幅,為您帶來(lái)前所未有的詳盡解讀,無(wú)論您是經(jīng)驗(yàn)豐富的電源工程師,還是對(duì)電子技術(shù)充滿(mǎn)好奇的初學(xué)者,都能從中獲益匪E。

image.png

SC1S311概述

SC1S311是由業(yè)界知名的半導(dǎo)體制造商Sanken(三墾電氣)推出的一款準(zhǔn)諧振(Quasi-Resonant, QR)模式開(kāi)關(guān)電源控制器。它被精心設(shè)計(jì)用于離線(xiàn)式(Off-Line)開(kāi)關(guān)電源(Switched-Mode Power Supply, SMPS)應(yīng)用,尤其適用于對(duì)效率、待機(jī)功耗和電磁干擾(EMI)有較高要求的場(chǎng)合,如液晶電視、顯示器、打印機(jī)、適配器以及各種家用電器的輔助電源等。與傳統(tǒng)的固定頻率脈寬調(diào)制(PWM)控制器相比,準(zhǔn)諧振技術(shù)通過(guò)檢測(cè)功率MOSFET漏極電壓的谷底時(shí)刻來(lái)開(kāi)啟開(kāi)關(guān),從而實(shí)現(xiàn)所謂的“谷底開(kāi)通”(Valley Switching),極大地降低了開(kāi)關(guān)損耗,提高了電源的整體轉(zhuǎn)換效率。

SC1S311內(nèi)部集成了高度復(fù)雜的控制邏輯電路,包括啟動(dòng)電路、振蕩器、驅(qū)動(dòng)電路、多種保護(hù)功能以及創(chuàng)新的多模式控制策略。其核心優(yōu)勢(shì)在于能夠在不同的負(fù)載條件下,智能地切換工作模式,以實(shí)現(xiàn)全范圍負(fù)載下的最優(yōu)效率。在重載時(shí),它工作在標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)諧振模式,確保最大的能量傳輸效率和最小的開(kāi)關(guān)損耗。在輕載或中載時(shí),它會(huì)自動(dòng)進(jìn)入“谷底跳躍”(Bottom-Skip)模式,通過(guò)跳過(guò)一些不必要的開(kāi)關(guān)周期來(lái)減少開(kāi)關(guān)次數(shù),從而降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。而在空載或極輕載時(shí),它則會(huì)進(jìn)入“突發(fā)模式”(Burst Mode),以間歇性的脈沖串輸出能量,極大地降低了待機(jī)功耗,輕松滿(mǎn)足日益嚴(yán)苛的國(guó)際能效標(biāo)準(zhǔn),如“能源之星”等。

此外,SC1S311還集成了一系列完善的保護(hù)功能,如過(guò)流保護(hù)(OCP)、過(guò)壓保護(hù)(OVP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)和過(guò)熱保護(hù)(TSD)等,這些保護(hù)功能如同一個(gè)盡職的“守護(hù)神”,時(shí)刻監(jiān)控著電源的工作狀態(tài),一旦出現(xiàn)異常,便會(huì)迅速采取行動(dòng),關(guān)斷輸出或進(jìn)入保護(hù)模式,從而有效地保護(hù)了電源自身以及后端負(fù)載設(shè)備的安全,顯著提高了系統(tǒng)的可靠性和耐用性。SC1S311通常采用標(biāo)準(zhǔn)的SOP-8封裝,這種小巧的封裝形式不僅節(jié)省了寶貴的PCB板上空間,也為緊湊型的電源設(shè)計(jì)提供了便利。通過(guò)精簡(jiǎn)的外部元器件,設(shè)計(jì)師可以構(gòu)建出既高性能又具成本效益的電源解決方案。接下來(lái),我們將逐一深入探討其8個(gè)引腳的奧秘,揭示它們?cè)跇?gòu)建一個(gè)高效、可靠的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中所扮演的獨(dú)特角色和所承載的精密電壓信號(hào)。


引腳1: FB/OLP (Feedback / Overload Protection) - 反饋/過(guò)載保護(hù)輸入端


功能概述

引腳1,標(biāo)記為FB/OLP,是SC1S311控制器中最為關(guān)鍵和多功能的引腳之一。它承擔(dān)著雙重核心使命:接收來(lái)自電源次級(jí)輸出的反饋信號(hào),用于穩(wěn)定輸出電壓;以及檢測(cè)系統(tǒng)是否出現(xiàn)過(guò)載或短路情況,并觸發(fā)相應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這個(gè)引腳是連接電源輸出端與控制器“大腦”的“神經(jīng)中樞”,它將輸出端的狀態(tài)信息實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確地傳遞給IC內(nèi)部的控制邏輯,是實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,確保電源精準(zhǔn)、穩(wěn)定輸出的根本所在。可以說(shuō),對(duì)FB/OLP引腳的深刻理解和正確配置,是整個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)成功與否的關(guān)鍵。

在典型的反激式(Flyback)開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,F(xiàn)B/OLP引腳通常通過(guò)一個(gè)光電耦合器(Optocoupler)與次級(jí)側(cè)的電壓采樣和誤差放大電路相連接。次級(jí)側(cè)的輸出電壓經(jīng)過(guò)電阻分壓后,與一個(gè)精密的基準(zhǔn)電壓(通常由一個(gè)可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器如TL431或其同類(lèi)型號(hào)提供)進(jìn)行比較。比較后的誤差信號(hào)會(huì)驅(qū)動(dòng)光電耦合器中的發(fā)光二極管(LED),其發(fā)光強(qiáng)度與誤差信號(hào)成正比。光電耦合器另一側(cè)的光電三極管則負(fù)責(zé)接收這個(gè)光信號(hào),并將其轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)輸入到FB/OLP引腳。通過(guò)這種方式,輸出電壓的微小波動(dòng)能夠被“翻譯”成FB/OLP引腳上的電流變化,從而構(gòu)成一個(gè)從次級(jí)到初級(jí)的隔離反饋環(huán)路。這種隔離是至關(guān)重要的,因?yàn)樗_保了高壓的初級(jí)電路與用戶(hù)可接觸的低壓次級(jí)電路之間的電氣安全。

電壓調(diào)節(jié)原理

SC1S311內(nèi)部,F(xiàn)B/OLP引腳連接到一個(gè)復(fù)雜的控制網(wǎng)絡(luò)。當(dāng)電源輸出電壓因?yàn)樨?fù)載加重或輸入電壓降低而有下降趨勢(shì)時(shí),次級(jí)側(cè)TL431的反饋輸入端電壓會(huì)降低,導(dǎo)致其陰極電流減小,從而使光耦中LED的電流減小,光強(qiáng)變?nèi)酢_@會(huì)使得光耦另一側(cè)光電三極管的集電極電流(即流入FB/OLP引腳的電流)減小,F(xiàn)B/OLP引腳的電壓隨之升高。IC內(nèi)部的PWM調(diào)制器檢測(cè)到這個(gè)升高的電壓后,會(huì)相應(yīng)地增加功率MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間(或在準(zhǔn)諧振模式下調(diào)整開(kāi)關(guān)頻率),從而向變壓器傳遞更多的能量,最終使輸出電壓回升到設(shè)定值。

反之,當(dāng)輸出電壓因?yàn)樨?fù)載減輕或輸入電壓升高而有上升趨勢(shì)時(shí),整個(gè)反饋鏈條會(huì)反向作用:TL431的電流增加,光耦LED光強(qiáng)增強(qiáng),流入FB/OLP引腳的電流增大,導(dǎo)致該引腳電壓降低。IC內(nèi)部控制邏輯則會(huì)減少M(fèi)OSFET的導(dǎo)通時(shí)間,減少能量傳遞,使輸出電壓回落。如此循環(huán)往復(fù),形成一個(gè)動(dòng)態(tài)的負(fù)反饋閉環(huán)系統(tǒng),將輸出電壓精確地穩(wěn)定在設(shè)計(jì)者預(yù)設(shè)的數(shù)值上。FB/OLP引腳上的電壓,就如同一個(gè)靈敏的“舞者”,隨著輸出負(fù)載的節(jié)拍翩翩起舞,指揮著整個(gè)電源系統(tǒng)的能量流轉(zhuǎn)。

過(guò)載保護(hù) (OLP) 功能

除了穩(wěn)壓功能,F(xiàn)B/OLP引腳還巧妙地集成了過(guò)載保護(hù)功能。當(dāng)輸出端發(fā)生嚴(yán)重過(guò)載甚至短路時(shí),輸出電壓會(huì)急劇下降。為了維持輸出電壓,反饋環(huán)路會(huì)拼命嘗試?yán)咻敵觯瑢?dǎo)致光耦電流急劇減小,F(xiàn)B/OLP引腳的電壓會(huì)持續(xù)上升。SC1S311內(nèi)部設(shè)有一個(gè)過(guò)載保護(hù)比較器,其閾值電壓被精確設(shè)定,例如在2.5V左右(具體數(shù)值請(qǐng)參考最新的官方數(shù)據(jù)手冊(cè))。當(dāng)FB/OLP引腳的電壓由于持續(xù)的過(guò)載狀態(tài)而超過(guò)這個(gè)閾值,并維持一小段時(shí)間(這個(gè)延遲時(shí)間是為了防止瞬態(tài)擾動(dòng)引起的誤觸發(fā))后,過(guò)載保護(hù)邏輯就會(huì)被觸發(fā)。

一旦OLP被觸發(fā),SC1S311會(huì)采取一種被稱(chēng)為“打嗝模式”(Hiccup Mode)或“自動(dòng)恢復(fù)模式”(Auto-Recovery)的保護(hù)措施。控制器會(huì)停止MOSFET的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,使電源輸出關(guān)閉。然后,經(jīng)過(guò)一段設(shè)定的延時(shí)后,控制器會(huì)嘗試重新啟動(dòng)。如果過(guò)載或短路狀態(tài)仍然存在,F(xiàn)B/OLP引腳的電壓會(huì)再次迅速攀升并觸發(fā)保護(hù),控制器會(huì)再次關(guān)閉輸出。這個(gè)“嘗試啟動(dòng)-檢測(cè)到故障-關(guān)閉”的過(guò)程會(huì)周而復(fù)始地進(jìn)行,形成一種類(lèi)似打嗝的間歇性工作狀態(tài)。這種模式的優(yōu)點(diǎn)在于,它極大地降低了在故障條件下的平均輸入功率,有效防止了電源元件(如MOSFET、變壓器、整流二極管)因持續(xù)承受大電流而過(guò)熱損壞,同時(shí)也保護(hù)了后端負(fù)載。當(dāng)故障被排除后,電源會(huì)在下一次重啟嘗試中檢測(cè)到正常的反饋電壓,從而恢復(fù)正常工作,實(shí)現(xiàn)了故障消除后的自動(dòng)恢復(fù),提升了用戶(hù)體驗(yàn)和系統(tǒng)的健壯性。

電壓范圍與設(shè)計(jì)考量

在正常工作時(shí),F(xiàn)B/OLP引腳的電壓通常在一個(gè)相對(duì)較窄的范圍內(nèi)波動(dòng),這個(gè)范圍是IC內(nèi)部PWM調(diào)制器線(xiàn)性控制區(qū)域,典型值可能在0.8V到2.0V之間。這個(gè)電壓是IC內(nèi)部誤差放大器輸出和一系列復(fù)雜控制邏輯共同作用的結(jié)果。設(shè)計(jì)時(shí),外部反饋網(wǎng)絡(luò)的參數(shù),如光耦的電流傳輸比(CTR)、TL431周?chē)碾娮柚担夹枰挠?jì)算和匹配,以確保在全負(fù)載范圍和全輸入電壓范圍內(nèi),F(xiàn)B/OLP引腳的電壓都能落在理想的控制區(qū)間內(nèi),并且整個(gè)反饋環(huán)路具有足夠的相位裕度和增益裕度,避免系統(tǒng)發(fā)生振蕩,保證良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

該引腳的絕對(duì)最大額定電壓通常在-0.3V到7V左右。任何超過(guò)此范圍的電壓都可能對(duì)IC內(nèi)部的精密電路造成永久性損傷。因此,在PCB布局時(shí),應(yīng)將此引腳的走線(xiàn)盡可能短,并遠(yuǎn)離噪聲源(如MOSFET的漏極、變壓器開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)),以防止噪聲耦合進(jìn)來(lái)干擾反饋信號(hào)的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。在某些情況下,可以在FB/OLP引腳到地之間并聯(lián)一個(gè)小電容(例如幾十到幾百pF),以濾除高頻噪聲,但這可能會(huì)影響環(huán)路的動(dòng)態(tài)響應(yīng),需要權(quán)衡利弊。


引腳2: BD (Bottom Detection) - 谷底檢測(cè)輸入端


功能概述

引腳2,標(biāo)記為BD,是SC1S311實(shí)現(xiàn)其核心技術(shù)——準(zhǔn)諧振(QR)模式的關(guān)鍵所在。BD是“Bottom Detection”的縮寫(xiě),意為“谷底檢測(cè)”。這個(gè)引腳的唯一且重要的使命,就是精確地捕捉功率MOSFET漏源電壓(Vds)在其關(guān)斷期間振蕩的“谷底”時(shí)刻。通過(guò)在這個(gè)最低電壓點(diǎn)開(kāi)啟MOSFET,可以實(shí)現(xiàn)所謂的“零電壓開(kāi)關(guān)”(ZVS)或“準(zhǔn)零電壓開(kāi)關(guān)”(Quasi-ZVS),從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,這是QR電源相對(duì)于傳統(tǒng)硬開(kāi)關(guān)(Hard Switching)PWM電源最主要的優(yōu)勢(shì)。BD引腳就像是控制器的“眼睛”,時(shí)刻注視著高壓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的動(dòng)靜,為MOSFET的下一次導(dǎo)通尋找最佳時(shí)機(jī)。

在反激式變換器中,當(dāng)主功率MOSFET關(guān)斷后,變壓器的漏感和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(MOSFET的漏極)的寄生電容會(huì)形成一個(gè)LC諧振回路,導(dǎo)致MOSFET的漏源電壓Vds產(chǎn)生一個(gè)衰減的正弦振蕩。這個(gè)振蕩波形的電壓會(huì)先快速上升到輸入電壓Vin加上反射電壓Vor之和,然后開(kāi)始下降,甚至可能低于輸入電壓Vin。BD引腳正是為了檢測(cè)這個(gè)振蕩波形的谷點(diǎn)。

工作原理

BD引腳通常通過(guò)一個(gè)高阻值的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)連接到變壓器的輔助繞組(或稱(chēng)為偏置繞組)。這個(gè)輔助繞組的電壓波形能夠很好地反映主繞組和MOSFET漏極的電壓波形。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),輔助繞組上感應(yīng)出負(fù)電壓;當(dāng)MOSFET關(guān)斷,能量向次級(jí)傳遞時(shí),輔助繞組上感應(yīng)出正電壓;當(dāng)次級(jí)能量傳遞完畢,Vds開(kāi)始振蕩時(shí),輔助繞組上的電壓也會(huì)隨之振蕩。

SC1S311內(nèi)部,BD引腳連接到一個(gè)精密的谷底檢測(cè)比較器。當(dāng)輔助繞組的電壓振蕩到谷底時(shí),其電壓值最低。通過(guò)外部電阻分壓網(wǎng)絡(luò),這個(gè)最低電壓被傳遞到BD引腳。當(dāng)BD引腳的電壓下降到觸發(fā)內(nèi)部比較器的閾值(例如,約1.5V,具體值需查閱數(shù)據(jù)手冊(cè))時(shí),谷底檢測(cè)電路就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào),通知內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)邏輯,現(xiàn)在是開(kāi)啟MOSFET的最佳時(shí)機(jī)。驅(qū)動(dòng)邏輯在接收到這個(gè)信號(hào)后,便會(huì)立即在下一個(gè)時(shí)鐘周期發(fā)出一個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖,開(kāi)啟MOSFET。

由于MOSFET在較低的Vds電壓下開(kāi)啟,其開(kāi)啟瞬間的電流(I)和電壓(V)的乘積,即開(kāi)關(guān)損耗(P = I × V),被大幅減小。尤其是在高輸入電壓下,這種優(yōu)勢(shì)更為明顯,因?yàn)閂ds的振蕩幅值更大,谷底電壓更低。這不僅提高了電源的效率,還降低了MOSFET的開(kāi)關(guān)應(yīng)力,同時(shí),由于開(kāi)關(guān)過(guò)程變得更加“平滑”,也有效改善了電磁干擾(EMI)性能。

谷底跳躍 (Bottom-Skip) 功能

為了在更寬的負(fù)載范圍內(nèi)優(yōu)化效率,SC1S311還引入了“谷底跳躍”功能。在重載下,控制器會(huì)在檢測(cè)到的第一個(gè)谷底就開(kāi)啟MOSFET,以保證最大的功率傳輸。但隨著負(fù)載的減輕,系統(tǒng)不再需要如此頻繁地進(jìn)行能量補(bǔ)充。此時(shí),如果仍然在第一個(gè)谷底就開(kāi)通,開(kāi)關(guān)頻率會(huì)隨著負(fù)載減輕而升高,反而會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加。

為了解決這個(gè)問(wèn)題,SC1S311的智能控制邏輯會(huì)根據(jù)反饋引腳(FB/OLP)的電壓來(lái)判斷當(dāng)前的負(fù)載水平。當(dāng)負(fù)載減輕到一定程度時(shí),控制器會(huì)有意地“忽略”或“跳過(guò)”第一個(gè)甚至前幾個(gè)谷底信號(hào),而選擇在第二個(gè)、第三個(gè)或更后面的谷底再開(kāi)啟MOSFET。每一次跳過(guò)一個(gè)谷底,相當(dāng)于延長(zhǎng)了一個(gè)開(kāi)關(guān)周期,從而降低了等效的開(kāi)關(guān)頻率。這種自適應(yīng)地降低開(kāi)關(guān)頻率的機(jī)制,有效地減少了輕載和中載時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗,進(jìn)一步優(yōu)化了整個(gè)工作范圍內(nèi)的效率曲線(xiàn)。這種智能的谷底跳躍策略,是SC1S311實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍高效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。

電壓范圍與設(shè)計(jì)考量

BD引腳的電壓是動(dòng)態(tài)變化的,它跟隨輔助繞組的電壓波形。設(shè)計(jì)連接到BD引腳的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)時(shí),需要仔細(xì)計(jì)算。一方面,要確保在Vds振蕩的谷底時(shí)刻,BD引腳的電壓能夠可靠地觸發(fā)內(nèi)部的谷底檢測(cè)比較器;另一方面,要確保在Vds達(dá)到峰值時(shí),BD引腳的電壓不會(huì)超過(guò)其絕對(duì)最大額定電壓(通常為-0.3V到7V)。電阻的阻值通常較大(例如幾十到幾百kΩ),以減小從輔助繞組吸收的功率。

此外,由于BD引腳檢測(cè)的是一個(gè)快速變化的模擬信號(hào),它對(duì)噪聲也比較敏感。PCB布局時(shí),連接到BD引腳的走線(xiàn)應(yīng)該盡可能短,并且遠(yuǎn)離高頻、高電流的開(kāi)關(guān)環(huán)路。在某些高頻設(shè)計(jì)中,可能需要在分壓電阻上并聯(lián)一個(gè)小電容(幾pF到幾十pF)來(lái)濾除尖峰噪聲,但這可能會(huì)引入延遲,影響谷底檢測(cè)的精度,需要謹(jǐn)慎使用和調(diào)試。如果谷底檢測(cè)功能不使用(例如在某些強(qiáng)制PWM模式下),該引腳通常需要連接到一個(gè)固定的直流電壓,具體處理方式應(yīng)遵循數(shù)據(jù)手冊(cè)的建議。


引腳3: NC (No Connection) - 空引腳


功能概述

在許多集成電路的設(shè)計(jì)中,尤其是在采用標(biāo)準(zhǔn)化封裝(如SOP-8)的情況下,可能會(huì)出現(xiàn)一些引腳在當(dāng)前芯片的具體功能實(shí)現(xiàn)中沒(méi)有被使用。這些引腳被定義為“無(wú)連接”(No Connection),縮寫(xiě)為NC。對(duì)于SC1S311而言,其SOP-8封裝中的第3號(hào)引腳就是一個(gè)典型的NC引腳。

“無(wú)連接”意味著這個(gè)引腳在芯片內(nèi)部沒(méi)有連接到任何有效的功能電路上。它既不是輸入端,也不是輸出端,更不是電源或地。從功能角度看,它是一個(gè)“懸空”的、不執(zhí)行任何電氣任務(wù)的引腳。設(shè)置NC引腳的原因有多種可能性。有時(shí)是為了兼容性考慮,例如,該封裝可能被一個(gè)產(chǎn)品系列中的多款芯片所共用,而其他型號(hào)的芯片可能會(huì)使用到這個(gè)引腳。有時(shí)是出于制造或測(cè)試的需要。還有一種可能是,在芯片設(shè)計(jì)的早期版本中,該引腳可能具有特定功能,但在后續(xù)的優(yōu)化或版本迭代中,該功能被移除或整合到其他引腳中,但為了維持封裝的物理兼容性,該引腳被保留了下來(lái)并標(biāo)記為NC。

處理方式與設(shè)計(jì)考量

對(duì)于NC引腳,最重要也是最基本的處理原則是:使其保持懸空,不要連接到電路的任何部分。這意味著在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí),第3號(hào)引腳對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)上不應(yīng)該連接任何走線(xiàn)。它不應(yīng)該連接到電源(VCC)、地(GND)、信號(hào)線(xiàn)或任何其他電壓電位上。

為什么必須這樣做呢?盡管NC引腳在電氣功能上是“無(wú)連接”的,但將其連接到某個(gè)電位可能會(huì)帶來(lái)意想不到的風(fēng)險(xiǎn)。首先,雖然數(shù)據(jù)手冊(cè)聲明其為NC,但在芯片內(nèi)部,它可能仍然有微弱的、未公開(kāi)的連接,例如連接到測(cè)試電路或者僅僅是連接到襯底。將其連接到高電平或低電平,可能會(huì)使芯片進(jìn)入某種非預(yù)期的測(cè)試模式,或者對(duì)芯片的正常工作產(chǎn)生潛在的、不可預(yù)測(cè)的干擾,影響其性能和可靠性。其次,未來(lái)的芯片版本可能會(huì)在這個(gè)引腳上增加新的功能。如果在當(dāng)前的設(shè)計(jì)中將此引腳連接到地或電源,那么當(dāng)需要升級(jí)到新版本的芯片時(shí),就可能導(dǎo)致新功能無(wú)法使用,甚至損壞芯片,從而喪失了設(shè)計(jì)的向前兼容性。

因此,在電路原理圖設(shè)計(jì)和PCB布線(xiàn)時(shí),對(duì)待NC引腳的規(guī)范做法是在原理圖上明確標(biāo)示出“NC”或“No Connect”,并在PCB上確保該引腳的焊盤(pán)是孤立的,沒(méi)有任何電氣連接。這是一種良好且專(zhuān)業(yè)的工程實(shí)踐,它遵循了“最小意外原則”,避免了不必要的麻煩和潛在的系統(tǒng)故障。盡管它看起來(lái)只是一個(gè)微不足道的細(xì)節(jié),但正是這種對(duì)細(xì)節(jié)的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度,構(gòu)成了高可靠性電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。在SC1S311的應(yīng)用中,請(qǐng)務(wù)必將第3引腳作為一個(gè)獨(dú)立的、與世隔絕的“孤島”來(lái)對(duì)待。


引腳4: ST (Startup) - 啟動(dòng)輸入端


功能概述

引腳4,標(biāo)記為ST,是SC1S311的“點(diǎn)火器”。ST是“Startup”的縮寫(xiě),其核心功能是為IC在電源初次上電時(shí)提供初始的啟動(dòng)電流。在離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源中,當(dāng)交流電(AC)輸入剛剛接通時(shí),次級(jí)的輔助繞組尚未建立起穩(wěn)定的電壓來(lái)為控制器(IC)本身供電。此時(shí),就需要一個(gè)“自舉”或“啟動(dòng)”電路,從高壓的直流母線(xiàn)(DC Bus,通常是AC輸入經(jīng)整流濾波后的高壓直流電,可達(dá)數(shù)百伏)上“竊取”一小部分能量,來(lái)為IC的VCC電容充電,使其電壓達(dá)到IC的開(kāi)啟閾值(VCC(on)),從而讓整個(gè)控制器蘇醒并開(kāi)始工作。ST引腳正是這個(gè)啟動(dòng)電路與IC內(nèi)部連接的端口。

SC1S311內(nèi)部集成了一個(gè)高壓?jiǎn)?dòng)電路,這大大簡(jiǎn)化了外部電路的設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)的啟動(dòng)電路通常需要使用一個(gè)或多個(gè)大功率的啟動(dòng)電阻,直接從直流母線(xiàn)上拉一個(gè)電流到VCC電容。這種方式雖然簡(jiǎn)單,但缺點(diǎn)也很明顯:一旦IC正常工作后,這個(gè)啟動(dòng)電阻仍然連接在電路上,會(huì)持續(xù)地消耗功率,導(dǎo)致待機(jī)功耗增加,效率降低。為了解決這個(gè)問(wèn)題,一些設(shè)計(jì)會(huì)增加額外的電路(如使用一個(gè)三極管)在IC啟動(dòng)后斷開(kāi)啟動(dòng)電阻,但這又增加了元器件數(shù)量和復(fù)雜性。

SC1S311的內(nèi)置啟動(dòng)電路則完美地解決了這一難題。它通過(guò)ST引腳連接到高壓直流母線(xiàn),通常是通過(guò)一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)的啟動(dòng)電阻。在啟動(dòng)階段,IC內(nèi)部的啟動(dòng)電路導(dǎo)通,從ST引腳吸取一個(gè)微小的電流(通常是微安或毫安級(jí)別)來(lái)為VCC引腳上的電容充電。當(dāng)VCC電壓上升到開(kāi)啟閾值VCC(on)(例如典型值為15.1V)時(shí),IC被喚醒,內(nèi)部的振蕩器和驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)始工作,驅(qū)動(dòng)外部的功率MOSFET進(jìn)行開(kāi)關(guān)。一旦MOSFET開(kāi)始開(kāi)關(guān),變壓器的輔助繞組就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電壓,經(jīng)過(guò)整流濾波后,就能為VCC引腳提供一個(gè)穩(wěn)定、持續(xù)的電源。此時(shí),IC會(huì)檢測(cè)到VCC已由輔助繞組正常供電,便會(huì)自動(dòng)關(guān)斷內(nèi)部的啟動(dòng)電路,切斷從ST引腳的電流通路。這樣,啟動(dòng)電阻上就不再有電流流過(guò),從而避免了在正常工作期間的功率損耗,實(shí)現(xiàn)了極低的待機(jī)功耗。

工作過(guò)程詳解

  1. 上電階段:AC電源接通,經(jīng)過(guò)整流橋和輸入大電容濾波后,形成一個(gè)高壓的直流母線(xiàn)電壓(例如,在230VAC輸入時(shí)約為325VDC)。此時(shí),SC1S311的VCC引腳電壓為零,IC處于關(guān)閉狀態(tài)。

  2. 啟動(dòng)充電:高壓直流母線(xiàn)通過(guò)外部的一個(gè)或多個(gè)高阻值啟動(dòng)電阻(R_ST)連接到ST引腳。SC1S311內(nèi)部的啟動(dòng)電路導(dǎo)通,形成一個(gè)從直流母線(xiàn) -> R_ST -> ST引腳 -> 內(nèi)部啟動(dòng)電路 -> VCC引腳 的充電路徑,開(kāi)始對(duì)VCC引腳上外接的電容(C_VCC)進(jìn)行充電。

  3. 達(dá)到開(kāi)啟閾值:C_VCC上的電壓逐漸上升。當(dāng)VCC電壓達(dá)到IC的開(kāi)啟閾值電壓VCC(on)時(shí),IC內(nèi)部的所有控制邏輯單元被激活,振蕩器開(kāi)始產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào),軟啟動(dòng)電路開(kāi)始工作,驅(qū)動(dòng)電路(DRV)開(kāi)始輸出第一個(gè)PWM脈沖。

  4. 輔助繞組接管供電:DRV引腳輸出的脈沖驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)始開(kāi)關(guān)動(dòng)作。變壓器開(kāi)始工作,其輔助繞組上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。這個(gè)交變電壓經(jīng)過(guò)一個(gè)二極管整流和一個(gè)小電容濾波后,形成一個(gè)穩(wěn)定的直流電壓,該電壓被用來(lái)接管對(duì)VCC的供電。這個(gè)由輔助繞組提供的電壓通常會(huì)高于VCC(on),確保IC能夠持續(xù)穩(wěn)定工作。

  5. 啟動(dòng)電路關(guān)斷:一旦IC檢測(cè)到VCC電壓已經(jīng)穩(wěn)定地由輔助繞組供電(通常是VCC電壓超過(guò)某個(gè)閾值),它內(nèi)部的智能邏輯就會(huì)自動(dòng)切斷連接ST引腳的啟動(dòng)電路。此后,ST引腳就不再?gòu)母邏耗妇€(xiàn)上吸取電流,啟動(dòng)電阻上的功率損耗幾乎為零。

電壓范圍與設(shè)計(jì)考量

ST引腳直接與高壓直流母線(xiàn)相連,因此它是一個(gè)高壓引腳。其絕對(duì)最大額定電壓非常高,通常可以承受數(shù)百伏的直流電壓(具體數(shù)值需查閱數(shù)據(jù)手冊(cè),例如可達(dá)600V或更高)。這是SC1S311能夠直接用于離線(xiàn)式電源的關(guān)鍵特性之一。

外部啟動(dòng)電阻(R_ST)的選值是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。電阻值需要足夠大,以限制啟動(dòng)電流在一個(gè)非常小的安全水平,避免在啟動(dòng)過(guò)程中消耗過(guò)多的功率,同時(shí)也保護(hù)IC內(nèi)部的啟動(dòng)電路。但電阻值又不能太大,否則啟動(dòng)電流會(huì)過(guò)小,導(dǎo)致VCC電容的充電時(shí)間過(guò)長(zhǎng),用戶(hù)會(huì)感覺(jué)到明顯的開(kāi)機(jī)延遲。啟動(dòng)時(shí)間的計(jì)算大致為 T_start ≈ (C_VCC × VCC(on)) / I_start,其中I_start ≈ (V_Bus_DC - V_ST) / R_ST。設(shè)計(jì)者需要根據(jù)期望的啟動(dòng)時(shí)間、VCC電容大小和輸入電壓范圍來(lái)綜合選擇一個(gè)合適的電阻值。通常,這個(gè)電阻的阻值在幾百kΩ到幾MΩ之間,并且由于它長(zhǎng)期承受高壓,需要選擇高耐壓、功率足夠的電阻,有時(shí)會(huì)使用多個(gè)電阻串聯(lián)來(lái)分?jǐn)傠妷骸?/span>


引腳5: DRV (Drive) - 驅(qū)動(dòng)輸出端


功能概述

引腳5,標(biāo)記為DRV,是SC1S311的“手臂”,是其執(zhí)行控制命令的最終輸出端。DRV是“Drive”的縮寫(xiě),它的功能是輸出脈寬調(diào)制(PWM)信號(hào),直接驅(qū)動(dòng)外部功率開(kāi)關(guān)管(通常是N溝道MOSFET)的柵極(Gate)。這個(gè)引腳輸出的電壓波形,直接決定了MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,從而控制了流過(guò)變壓器初級(jí)繞組的能量大小和時(shí)機(jī),是整個(gè)開(kāi)關(guān)電源能量轉(zhuǎn)換過(guò)程的執(zhí)行者。DRV引腳輸出信號(hào)的質(zhì)量,如驅(qū)動(dòng)電壓的幅值、上升下降速度等,直接影響到MOSFET的開(kāi)關(guān)性能、開(kāi)關(guān)損耗以及整個(gè)電源的效率和EMI特性。

SC1S311內(nèi)部集成了一個(gè)強(qiáng)大而高效的圖騰柱(Totem-Pole)結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)電路。這種電路結(jié)構(gòu)由一個(gè)上管(通常是PMOS或PNP晶體管)和一個(gè)下管(通常是NMOS或NPN晶體管)組成,能夠提供強(qiáng)大的拉電流(Source Current)和灌電流(Sink Current)能力。當(dāng)需要開(kāi)啟MOSFET時(shí),上管導(dǎo)通,下管關(guān)斷,驅(qū)動(dòng)電路會(huì)迅速?gòu)腣CC電源向MOSFET的柵極電容(Gate Capacitance)充電,使其柵極電壓快速上升到足以使其完全導(dǎo)通的水平(通常接近VCC電壓)。當(dāng)需要關(guān)斷MOSFET時(shí),上管關(guān)斷,下管導(dǎo)通,柵極電容上存儲(chǔ)的電荷會(huì)通過(guò)下管被迅速泄放到地,使其柵極電壓快速下降到零,從而使MOSFET快速、可靠地關(guān)斷。

驅(qū)動(dòng)能力與重要性

MOSFET的柵極在電氣上表現(xiàn)為一個(gè)電容(Ciss)。要使其快速開(kāi)通和關(guān)斷,就需要驅(qū)動(dòng)電路能夠在極短的時(shí)間內(nèi)(納秒級(jí)別)對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行充電和放電。DRV引腳的驅(qū)動(dòng)能力,即其能夠提供的峰值拉/灌電流越大,充放電過(guò)程就越快,MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間(上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf)就越短。

縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間至關(guān)重要,因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)的過(guò)渡階段,MOSFET既承受著高電壓,又流過(guò)著大電流,此時(shí)的瞬時(shí)功耗(即開(kāi)關(guān)損耗)非常大。開(kāi)關(guān)時(shí)間越短,這個(gè)高功耗的過(guò)渡階段就越短,平均開(kāi)關(guān)損耗就越低,電源的效率也就越高。此外,快速的開(kāi)關(guān)沿也有助于減少由于開(kāi)關(guān)不徹底而引起的其他問(wèn)題。

然而,過(guò)快的開(kāi)關(guān)速度也并非總是有益的。非常陡峭的開(kāi)關(guān)沿(高dV/dt和dI/dt)會(huì)產(chǎn)生更豐富的高頻諧波,可能會(huì)加劇電磁干擾(EMI)問(wèn)題,給EMI濾波器的設(shè)計(jì)帶來(lái)更大挑戰(zhàn)。因此,在DRV引腳和MOSFET柵極之間,通常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻,即柵極電阻(Rg)。

柵極電阻 (Rg) 的作用

柵極電阻Rg扮演著一個(gè)重要的調(diào)節(jié)角色:

  1. 控制開(kāi)關(guān)速度:Rg與MOSFET的輸入電容Ciss形成一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò),通過(guò)調(diào)整Rg的阻值,可以精確地控制柵極電壓的上升和下降速率,從而控制MOSFET的開(kāi)關(guān)速度。工程師可以在效率和EMI之間找到一個(gè)最佳的平衡點(diǎn)。增大Rg會(huì)減慢開(kāi)關(guān)速度,有利于改善EMI,但會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗;減小Rg則會(huì)加快開(kāi)關(guān)速度,提高效率,但可能惡化EMI。

  2. 抑制柵極振蕩:MOSFET柵極的引線(xiàn)電感和輸入電容可能會(huì)在快速開(kāi)關(guān)瞬間形成一個(gè)LC振蕩回路,導(dǎo)致柵極電壓出現(xiàn)高頻振蕩。這種振蕩可能會(huì)使MOSFET意外地多次導(dǎo)通和關(guān)斷,或者使其工作在線(xiàn)性區(qū),導(dǎo)致巨大的功耗甚至損壞。串聯(lián)一個(gè)Rg可以增加該振蕩回路的阻尼,有效地抑制這種寄生振蕩,保證柵極驅(qū)動(dòng)波形的干凈和穩(wěn)定。 Rg的取值通常在幾歐姆到幾十歐姆之間,具體數(shù)值需要根據(jù)所選用的MOSFET型號(hào)、工作頻率、以及對(duì)效率和EMI的綜合要求,通過(guò)計(jì)算和實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。

電壓范圍

DRV引腳輸出的電壓擺幅(Voltage Swing)受限于VCC的電壓。當(dāng)輸出高電平時(shí),其電壓約等于VCC;當(dāng)輸出低電平時(shí),其電壓約等于GND(0V)。為了確保MOSFET能夠被充分驅(qū)動(dòng)并可靠關(guān)斷,VCC電壓必須穩(wěn)定。SC1S311內(nèi)部設(shè)有欠壓鎖定(UVLO)功能,如果VCC電壓低于關(guān)斷閾值VCC(off),DRV引腳將被強(qiáng)制拉到低電平,停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào),防止MOSFET在柵極驅(qū)動(dòng)不足的情況下工作(這會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通電阻急劇增大而過(guò)熱損壞)。該引腳的絕對(duì)最大額定電壓通常略高于VCC的最大額定電壓。任何時(shí)候都不應(yīng)將該引腳連接到高于VCC或低于GND的外部電壓源。


引腳6: OCP (Over Current Protection) - 過(guò)流保護(hù)輸入端


功能概述

引腳6,標(biāo)記為OCP,是SC1S311中負(fù)責(zé)執(zhí)行關(guān)鍵保護(hù)功能——逐周期電流限制(Cycle-by-Cycle Current Limiting)的“哨兵”。OCP是“Over Current Protection”的縮寫(xiě),其功能是實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流過(guò)主功率MOSFET的電流,一旦該電流在任何一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)超過(guò)了預(yù)設(shè)的安全閾值,OCP電路就會(huì)立即采取行動(dòng),終止當(dāng)前的開(kāi)關(guān)周期,提前關(guān)斷MOSFET。這種快速、實(shí)時(shí)的保護(hù)機(jī)制對(duì)于防止在啟動(dòng)、負(fù)載突變或輸出短路等異常情況下,變壓器磁芯飽和以及MOSFET因承受過(guò)大峰值電流而損壞至關(guān)重要。

在反激式電源中,MOSFET導(dǎo)通時(shí),其漏極電流(Id)從零開(kāi)始線(xiàn)性上升,其斜率由輸入電壓和初級(jí)繞組電感決定。這個(gè)電流的大小直接關(guān)系到每個(gè)周期存儲(chǔ)在變壓器中的能量。OCP引腳就是用來(lái)感應(yīng)這個(gè)電流大小的。

工作原理

實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)的典型方法是在功率MOSFET的源極(Source)和地(GND)之間串聯(lián)一個(gè)低阻值、高精度的電流檢測(cè)電阻,也稱(chēng)為“采樣電阻”或“檢流電阻”(Rsense)。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),其漏極電流Id幾乎等于源極電流Is,這個(gè)電流流過(guò)Rsense時(shí),會(huì)產(chǎn)生一個(gè)與電流成正比的電壓降 V_sense = Id × Rsense。OCP引腳就直接連接到MOSFET的源極和Rsense的上端。

SC1S311內(nèi)部,OCP引腳連接到一個(gè)高速的過(guò)流比較器。該比較器的另一個(gè)輸入端連接到一個(gè)內(nèi)部設(shè)定的基準(zhǔn)電壓,即過(guò)流保護(hù)閾值電壓V_OCP。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期的開(kāi)始,MOSFET被導(dǎo)通,其電流Id開(kāi)始上升,OCP引腳上的電壓V_sense也隨之線(xiàn)性上升。過(guò)流比較器持續(xù)不斷地將V_sense與V_OCP進(jìn)行比較。在正常負(fù)載下,當(dāng)PWM邏輯信號(hào)需要關(guān)斷MOSFET時(shí),V_sense的電壓尚未達(dá)到V_OCP。但是,如果由于輸入電壓過(guò)高或輸出負(fù)載過(guò)重(甚至短路)導(dǎo)致電流上升斜率變大或?qū)〞r(shí)間變長(zhǎng),使得V_sense的電壓在PWM周期結(jié)束前就提前達(dá)到了V_OCP閾值,過(guò)流比較器就會(huì)立即翻轉(zhuǎn),其輸出信號(hào)會(huì)覆蓋掉正常的PWM關(guān)斷信號(hào),強(qiáng)制驅(qū)動(dòng)邏輯立刻關(guān)斷MOSFET。

這種逐周期限流的方式非常有效,因?yàn)樗拗屏嗣總€(gè)周期內(nèi)存儲(chǔ)在變壓器中的最大能量,從而間接地限制了輸出功率和輸出電流。它反應(yīng)極為迅速,能夠在單個(gè)周期內(nèi)就做出響應(yīng),為功率器件提供了最直接、最及時(shí)的保護(hù)。

前沿消隱 (Leading Edge Blanking, LEB)

在MOSFET剛剛導(dǎo)通的瞬間,由于二極管的反向恢復(fù)電流以及電路中的寄生電容放電,會(huì)在檢流電阻Rsense上產(chǎn)生一個(gè)短暫的、非常尖銳的電壓尖峰(Spike)。這個(gè)尖峰并不代表真實(shí)的電感電流,但其幅值可能很高,足以錯(cuò)誤地觸發(fā)OCP比較器。為了防止這種誤觸發(fā),SC1S311內(nèi)部集成了一個(gè)“前沿消隱”(LEB)電路。

LEB電路的功能是在MOSFET導(dǎo)通后的極短一段時(shí)間內(nèi)(例如200-300納秒),暫時(shí)“屏蔽”或“忽略”O(jiān)CP引腳上的信號(hào),不過(guò)流比較器在這段時(shí)間內(nèi)是不工作的。等到這段由寄生效應(yīng)引起的尖峰噪聲過(guò)去之后,OCP比較器才開(kāi)始對(duì)電流采樣電壓進(jìn)行有效的監(jiān)測(cè)。這個(gè)內(nèi)置的LEB功能非常實(shí)用,它避免了在Rsense上并聯(lián)RC濾波電路的需要,從而節(jié)省了外部元件,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),并提高了電流采樣的精度和響應(yīng)速度。

電壓范圍與設(shè)計(jì)考量

OCP引腳的輸入電壓范圍非常窄,其正常工作時(shí)的峰值電壓就是內(nèi)部設(shè)定的V_OCP閾值,這個(gè)值通常是一個(gè)精確的、經(jīng)過(guò)溫度補(bǔ)償?shù)碾妷海?.5V或0.8V(具體值需查閱數(shù)據(jù)手冊(cè))。檢流電阻Rsense的阻值選擇是一個(gè)關(guān)鍵的權(quán)衡過(guò)程。Rsense的阻值決定了在給定的峰值電流限值(I_peak)下,OCP引腳上的電壓(V_sense = I_peak × Rsense = V_OCP)。一方面,為了減小在Rsense上的功率損耗(P = I_rms^2 × Rsense)和提高效率,希望Rsense的阻值盡可能小。另一方面,為了獲得更好的信噪比,避免噪聲干擾,又希望V_sense信號(hào)的幅值不要太小。因此,設(shè)計(jì)者需要根據(jù)電源的最大輸出功率、變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)來(lái)計(jì)算出所需的初級(jí)峰值電流I_peak,然后結(jié)合IC的V_OCP閾值,計(jì)算出Rsense = V_OCP / I_peak。

由于OCP引腳對(duì)噪聲非常敏感,其PCB走線(xiàn)必須極其小心。從Rsense到OCP引腳的走線(xiàn)應(yīng)該是短而直接的,并且應(yīng)該與功率地線(xiàn)(MOSFET源極的返回路徑)構(gòu)成一個(gè)緊湊的環(huán)路(開(kāi)爾文連接),以最小化地線(xiàn)噪聲的耦合。這條信號(hào)線(xiàn)應(yīng)遠(yuǎn)離所有高dV/dt和高dI/dt的噪聲源。


引腳7: VCC - 電源輸入端


功能概述

引腳7,標(biāo)記為VCC,是SC1S311整個(gè)芯片的“生命之源”。它為IC內(nèi)部所有的控制電路、邏輯單元、振蕩器、驅(qū)動(dòng)器以及保護(hù)電路提供工作所需的電能。VCC引腳上電壓的穩(wěn)定性、潔凈度和是否處于正常工作范圍,直接決定了SC1S311能否正常啟動(dòng)、穩(wěn)定運(yùn)行以及精確地執(zhí)行其各項(xiàng)控制和保護(hù)功能。因此,VCC的供電電路設(shè)計(jì)是整個(gè)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一環(huán)。

如前文在ST引腳部分所述,VCC的電源在不同階段由兩個(gè)不同的來(lái)源提供:

  1. 啟動(dòng)階段:通過(guò)ST引腳連接的啟動(dòng)電路,從高壓直流母線(xiàn)取電,為VCC引腳上的電容充電,直到其電壓達(dá)到開(kāi)啟閾值VCC(on)。

  2. 正常工作階段:一旦IC開(kāi)始工作,驅(qū)動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān),變壓器的輔助繞組(Bias/Auxiliary Winding)就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電壓。這個(gè)電壓經(jīng)過(guò)一個(gè)快速恢復(fù)二極管整流,再由一個(gè)電解電容(即VCC電容)濾波后,形成一個(gè)穩(wěn)定的直流電壓,持續(xù)地為VCC引腳供電。此時(shí),內(nèi)部的啟動(dòng)電路已經(jīng)關(guān)閉。

欠壓鎖定 (UVLO) 功能

為了保證IC及其驅(qū)動(dòng)的MOSFET在正常、安全的條件下工作,SC1S311內(nèi)部集成了一個(gè)完善的欠壓鎖定(Under Voltage Lockout, UVLO)電路。這個(gè)電路時(shí)刻監(jiān)視著VCC引腳的電壓,并設(shè)有兩個(gè)關(guān)鍵的電壓閾值:

  • 開(kāi)啟閾值 VCC(on):當(dāng)VCC電壓從低到高上升,并達(dá)到VCC(on)時(shí)(例如15.1V),UVLO電路解除鎖定,允許IC開(kāi)始工作,DRV引腳可以輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

  • 關(guān)閉閾值 VCC(off):當(dāng)VCC電壓由于某種原因(如輕載導(dǎo)致輔助繞組電壓不足,或啟動(dòng)失敗)從高到低下降,并跌落到VCC(off)時(shí)(例如9.0V),UVLO電路會(huì)再次被觸發(fā)。它會(huì)立即將IC置于待機(jī)或關(guān)閉狀態(tài),最重要的是,它會(huì)強(qiáng)制DRV引腳輸出低電平,關(guān)閉功率MOSFET。

VCC(on)和VCC(off)之間存在一個(gè)相當(dāng)大的遲滯窗口(Hysteresis),例如6.1V。這個(gè)遲滯設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的。它確保了在啟動(dòng)過(guò)程中,一旦IC開(kāi)啟,即使VCC電壓因?yàn)轵?qū)動(dòng)MOSFET消耗能量而有輕微的下降,也不會(huì)立即再次關(guān)閉,給了輔助繞組足夠的時(shí)間來(lái)建立起穩(wěn)定的供電。同時(shí),它也防止了在VCC電壓臨界點(diǎn)附近由于噪聲等原因引起的IC反復(fù)開(kāi)啟和關(guān)閉的“抖動(dòng)”現(xiàn)象,保證了系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性。

過(guò)壓保護(hù) (OVP)

除了欠壓保護(hù),VCC引腳通常還兼具過(guò)壓保護(hù)(Over Voltage Protection, OVP)的檢測(cè)功能。當(dāng)輸出電壓由于反饋環(huán)路失效(例如光耦損壞)而失控,異常升高時(shí),通過(guò)變壓器的匝比關(guān)系,輔助繞組的電壓也會(huì)相應(yīng)地急劇升高,從而導(dǎo)致VCC電壓隨之升高。SC1S311內(nèi)部的OVP比較器會(huì)監(jiān)測(cè)VCC電壓。一旦VCC電壓超過(guò)了預(yù)設(shè)的過(guò)壓保護(hù)閾值V_OVP(例如25V),保護(hù)邏輯就會(huì)被觸發(fā)。觸發(fā)OVP后,控制器通常會(huì)采取鎖存關(guān)斷(Latched Shutdown)的模式,即立即停止MOSFET的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,并且除非斷開(kāi)交流輸入,讓VCC電壓完全掉電后重新上電,否則IC將一直保持在關(guān)閉狀態(tài)。這種鎖存模式提供了最 高級(jí)別的安全性,因?yàn)樗笕斯じ深A(yù)來(lái)恢復(fù),從而提示用戶(hù)系統(tǒng)可能存在嚴(yán)重故障。

電壓范圍與設(shè)計(jì)考量

VCC的正常工作電壓范圍定義在VCC(off)和V_OVP之間。設(shè)計(jì)輔助繞組的匝數(shù)以及整流濾波電路時(shí),必須確保在所有輸入電壓和負(fù)載條件下,VCC電壓都能穩(wěn)定地保持在這個(gè)窗口之內(nèi)。VCC電容的選擇也非常重要。電容值需要足夠大,以便在啟動(dòng)期間,當(dāng)VCC由啟動(dòng)電路充電至VCC(on)后,在輔助繞組還未完全接管供電之前,能夠存儲(chǔ)足夠的能量來(lái)維持IC工作而不掉到VCC(off)以下。同時(shí),它也需要有足夠的儲(chǔ)能來(lái)平滑輔助繞組整流后的電壓紋波,并為驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極提供瞬時(shí)的大電流。電容的大小通常在10μF到47μF之間,具體取決于IC的功耗、工作頻率和MOSFET的柵極電荷等因素。這個(gè)電容應(yīng)該選用低ESR(等效串聯(lián)電阻)的電解電容,并且應(yīng)盡可能靠近VCC和GND引腳放置,以獲得最佳的濾波和去耦效果。

VCC引腳的絕對(duì)最大額定電壓通常在35V左右。任何時(shí)候都要確保VCC電壓,包括可能的瞬態(tài)尖峰,都不會(huì)超過(guò)這個(gè)極限值,否則將導(dǎo)致IC永久性損壞。在某些設(shè)計(jì)中,可能會(huì)在VCC和GND之間并聯(lián)一個(gè)齊納二極管(Zener Diode)作為鉗位保護(hù),以防止意外的過(guò)壓情況。


引腳8: GND (Ground) - 地


功能概述

引腳8,標(biāo)記為GND,是SC1S311以及整個(gè)電源控制電路的參考地。GND是“Ground”的縮寫(xiě),它為IC內(nèi)部的所有電路提供一個(gè)公共的零電位參考點(diǎn)。這個(gè)引腳的重要性不言而喻,它是所有信號(hào)電壓和電源電壓測(cè)量的基準(zhǔn)。一個(gè)穩(wěn)定、潔凈的“地”是保證IC能夠精確、可靠工作的基礎(chǔ)。在PCB布局中,對(duì)GND的處理方式直接影響到整個(gè)電源的性能,尤其是噪聲抑制和信號(hào)完整性。

在SC1S311的應(yīng)用中,GND引腳是初級(jí)側(cè)電路的地,它連接到輸入濾波大電容的負(fù)端。這個(gè)地與次級(jí)側(cè)的輸出地是電氣隔離的,兩者之間不能直接連接,這也是離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源安全規(guī)范的要求。

PCB布局中的關(guān)鍵作用

GND引腳在PCB布局中不僅僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的連接點(diǎn),它更是一個(gè)需要精心規(guī)劃的“地平面”或“地網(wǎng)絡(luò)”的匯集點(diǎn)。在開(kāi)關(guān)電源中,存在兩種不同性質(zhì)的地:

  1. 信號(hào)地(Signal Ground):這是為敏感的模擬信號(hào)和控制邏輯提供參考的地。例如,F(xiàn)B/OLP引腳的反饋信號(hào)、BD引腳的谷底檢測(cè)信號(hào)、以及VCC的濾波電容,都需要一個(gè)非常“安靜”、沒(méi)有噪聲干擾的地作為參考。這個(gè)地應(yīng)該盡可能地遠(yuǎn)離大電流路徑。

  2. 功率地(Power Ground):這是承載大電流、高頻率開(kāi)關(guān)電流的返回路徑的地。最主要的就是MOSFET源極到輸入大電容負(fù)端之間的路徑,以及驅(qū)動(dòng)電路(DRV)的返回路徑。這些路徑上流過(guò)的電流是脈沖式的,含有豐富的諧波,會(huì)產(chǎn)生較大的電壓降和噪聲。

理想的接地策略是采用“單點(diǎn)接地”或“星形接地”。這意味著將信號(hào)地和功率地在PCB上分開(kāi)布線(xiàn),只在某一個(gè)點(diǎn)(理想情況下就是SC1S311的GND引腳附近)將它們連接在一起。具體來(lái)說(shuō):

  • 為VCC去耦電容、FB/OLP引腳相關(guān)電路、BD引腳分壓網(wǎng)絡(luò)等敏感元件提供一個(gè)獨(dú)立的、短而寬的接地走線(xiàn),直接連接到GND引腳。這部分構(gòu)成了“信號(hào)地”。

  • 將電流檢測(cè)電阻Rsense的一端(即MOSFET源極連接的那一端)作為功率電流返回路徑的起點(diǎn),然后用一條短而粗的走線(xiàn)直接連接到輸入大電容的負(fù)端。這條路徑是“功率地”的主要部分。

  • OCP引腳的走線(xiàn)和它的返回地線(xiàn)(即Rsense的另一端到GND引腳的連接)應(yīng)該作為一對(duì)差分線(xiàn)來(lái)布線(xiàn),緊密耦合,以減小共模噪聲的拾取。這條返回地線(xiàn)也應(yīng)直接連到GND引腳。

通過(guò)這種方式,可以有效地防止大電流的功率地路徑上產(chǎn)生的噪聲電壓耦合到敏感的信號(hào)地網(wǎng)絡(luò)中,從而保證了反饋信號(hào)的準(zhǔn)確性、谷底檢測(cè)的可靠性以及過(guò)流保護(hù)的精確性。一個(gè)糟糕的接地布局,例如將信號(hào)地和功率地隨意混合,或者形成大的接地環(huán)路,會(huì)極大地惡化電源的性能,導(dǎo)致輸出電壓不穩(wěn)定、效率降低、EMI超標(biāo),甚至保護(hù)功能失常。

總結(jié)

SC1S311作為一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制器,其每一個(gè)引腳都承載著精密而復(fù)雜的功能,它們協(xié)同工作,共同譜寫(xiě)了一曲高效、穩(wěn)定、安全的能量轉(zhuǎn)換樂(lè)章。從作為“神經(jīng)中樞”的FB/OLP引腳,到實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)的“眼睛”BD引腳;從沉默但至關(guān)重要的NC引腳,到負(fù)責(zé)點(diǎn)火啟動(dòng)的ST引腳;從強(qiáng)勁有力的“手臂”DRV引腳,到時(shí)刻警惕的“哨兵”OCP引腳;再到“生命之源”VCC引腳和作為萬(wàn)物基準(zhǔn)的GND引腳。對(duì)這八個(gè)引腳的功能、電壓特性以及設(shè)計(jì)考量的深入理解,是駕馭這顆強(qiáng)大“芯”臟,設(shè)計(jì)出卓越開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的必由之路。希望這篇超過(guò)萬(wàn)字的詳盡剖析,能夠?yàn)槟陔娫丛O(shè)計(jì)的探索道路上,提供一份有價(jià)值的參考和深刻的啟示。電子設(shè)計(jì)的藝術(shù),正在于對(duì)這些看似微小的細(xì)節(jié)的極致追求與完美平衡。

責(zé)任編輯:David

【免責(zé)聲明】

1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開(kāi)資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。

2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。

3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。

4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。

拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。

標(biāo)簽: sc1s311

相關(guān)資訊

資訊推薦
云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商

云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商

開(kāi)關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開(kāi)關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號(hào)替代?

開(kāi)關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開(kāi)關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號(hào)替代?

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路)

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路)

芯片lm2596s開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝

芯片lm2596s開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝

芯片UA741運(yùn)算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運(yùn)算放大器的替代型號(hào)有哪些?

芯片UA741運(yùn)算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運(yùn)算放大器的替代型號(hào)有哪些?

28nm光刻機(jī)卡住“02專(zhuān)項(xiàng)”——對(duì)于督工部分觀點(diǎn)的批判(睡前消息353期)

28nm光刻機(jī)卡住“02專(zhuān)項(xiàng)”——對(duì)于督工部分觀點(diǎn)的批判(睡前消息353期)

拍明芯城微信圖標(biāo)

各大手機(jī)應(yīng)用商城搜索“拍明芯城”

下載客戶(hù)端,隨時(shí)隨地買(mǎi)賣(mài)元器件!

拍明芯城公眾號(hào)
拍明芯城抖音
拍明芯城b站
拍明芯城頭條
拍明芯城微博
拍明芯城視頻號(hào)
拍明
廣告
恒捷廣告
廣告
深亞廣告
廣告
原廠直供
廣告